硅外延片檢測

硅外延片是一種在單晶硅拋光襯底片上通過外延生長工藝形成的半導體硅片，具有高純度、優質晶體結構和特定的材料特性。硅外延片的制備過程需要精確控制厚度、摻雜（載流子濃度）和缺陷密度，以確保半導體制造設備能夠生產出高產量的功率器件。

硅外延片主要應用于制造集成電路或半導體器件，特別是在對穩定性、缺陷密度、高電壓及電流耐受性要求更高的高級半導體器件中，如MOSFET、晶體管等功率器件，以及CIS（圖像傳感器）、PMIC（電源管理芯片）等模擬器件。這些器件廣泛應用于汽車、高端裝備制造、能源管理、通信、消費電子等多個領域。

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晶向、電阻率及徑向電阻率變化、厚度及徑向厚度變化、晶體完整性、表面金屬、質量等

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