SiC器件檢測

SiC器件，即碳化硅器件，是一種由硅（Si）和碳（C）構成的化合物半導體材料制成的功率半導體器件。它在功率半導體應用領域被認為是一種超越傳統Si材料的存在。SiC的導熱性比硅高近3倍，功率損耗產生的熱量能夠以較小的溫度變化從SiC中傳導出去，實現更好的散熱，這是功率電子器件系統設計中的重要一環。。
中科檢測能提供專業的SiC器件檢測服務，出具的SiC器件檢測報告。

（1）碳化硅肖特基二極管
（2）碳化硅功率晶體管

可靠性試驗：
低溫試驗、高溫試驗、濕熱試驗、快速溫變試驗、振動（正弦）試驗、三綜合（振動+溫濕度環境）試驗、隨機振動試驗、低頻振動試驗、高頻振動試驗、沖擊試驗試驗、防塵防水試驗、氣體腐蝕試驗（二氧化硫、硫化氫、二氧化氮、氯氣）
電性能測試：
接觸電阻測試、絕緣電阻測試、泄漏電流測試、電阻率/導電率測試、導體電阻測試

GB/T 5095.2.1997 電子設備用機電元件基本試驗規程及測量方法 第2部分：一般檢查、電連續性和接觸電阻測試、絕緣試驗和電壓應力試驗
IEC 60068-2-42:2003 環境試驗 第2-42部分:試驗 試驗Kc：觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.19-2013 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kc：接觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.22-2012 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗N：溫度變化
GB/T 2423.27-2020 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗方法和導則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗
GB/T 2423.33-2021 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kca：高濃度二氧化硫試驗
GB/T 2423.34-2012 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Z/AD：溫度/濕度組合循環試驗
GB/T 2423.61-2018 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗和導則：大型試件砂塵試驗
GB/T 2423.63-2019 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗：溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(混合模式)綜合
GB/T 2423.38-2021 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗R：水試驗方法和導則

1.擁有資深專家團隊，專業的工程師團隊和全面的檢測能力。

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4.中科檢測是綜合化的檢測集團，集檢驗檢測、認證鑒定、技術服務、咨詢培訓為一體的公共服務機構。

銷售：出具檢測報告，提成產品競爭力；

研發：縮短研發周期，降低研發成本；

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科研：定制完整方案，提供原始數據；

競標：報告認可度高，提高競標成功率；