半導體失效分析

半導體失效分析指的是在半導體器件失效后，通過運用各種電學和物理測試，確定器件失效的形式（失效模式），分析造成器件失效的物理和化學過程（失效機理），尋找器件的失效原因，從而制訂糾正和改進措施。br/>中科檢測可提供半導體失效分析服務，評估半導體失效機理，出具的半導體失效分析報告具有CMA資質。

1）開路 (EOS、ESD、電遷移、應力遷移、腐蝕、鍵合點脫落、機械應力、熱變應力)
2）短路（PN結缺陷、PN結穿釘、EOS、介質擊穿、金屬遷移）
3）參漂（氧化層電荷、表面離子、芯片裂紋、熱載流子、輻射損傷）
4）功能失效（EOS、ESD） 實例一 浪涌損壞 樣品為整流橋，在實驗室做實驗過程中，突然失效，有輸入沒輸出，屬于功能失效，主要原因是，浪涌損壞，主要是過大的電源電壓使器件發生擊穿，形成短路，造成大電流，導致整流橋內部電流過大，導致整流橋損壞。

1）目檢
觀察芯片表面沾污、裂紋、腐蝕，金屬外殼絕緣子裂紋，鍍層腐蝕、脫落，鍵合絲缺失、損傷、連接錯誤等。
2）電測試
測試器件功能、參數等。
3）X射線照相
用于檢查鍵合金絲完整性，焊點與焊盤的焊接情況，密封區、粘片區的空洞問題。 4）超聲掃描
超聲波在物體中傳播，遇到不同介質的交界面會發生反射，通過檢測反射波來檢測封裝結構中的分層、空洞、裂紋等問題。
5）掃描電鏡及能譜
觀察失效樣品的微觀結構，鑒定化學成分等。
6）密封
通過粗檢漏、細檢漏判斷器件氣密性和漏率。
7）PIND
通過顆粒噪聲檢測器件內是否存在可動多余物。
8）內部氣氛檢測
測量密封器件內部水汽、氧氣、二氧化碳等內部氣氛的種類及含量。
9）紅外成像
通過紅外成像，觀察芯片表面熱點位置，判斷是否存在擊穿、短路等問題。

1.擁有資深專家團隊，專業的工程師團隊和全面的檢測能力。

2.多年檢測行業經驗，成熟的質量管控團隊，可為客戶提供質量管控方案。

3.專業的體系審核團隊，可為企業提供質量審核服務，查找質量問題降低質量風險。

4.中科檢測是綜合化的檢測集團，集檢驗檢測、認證鑒定、技術服務、咨詢培訓為一體的公共服務機構。